ترجمه فارسی توضیحات (ترجمه ماشینی)
فیزیک نیمه هادی های پایه
این کتاب شرح مفصلی از فیزیک نیمه هادی ها را ارائه می دهد. فرض بر این است که خواننده تسلط اولیه بر ریاضیات و برخی دانش ابتدایی از فیزیک حالت جامد دارد. این متن طیف گسترده ای از پدیده های مهم در نیمه هادی ها را از ساده تا پیشرفته را پوشش می دهد. خواننده می تواند سه روش مختلف محاسبات باند انرژی، شبه پتانسیل تجربی، اغتشاش k.p و روش های اتصال محکم را درک کند. تقریب جرم موثر و حرکت الکترون در یک پتانسیل تناوبی، معادله انتقال بولتزمن و پتانسیلهای تغییر شکل مورد استفاده برای شبیهسازی مونت کارلو باند کامل مورد بحث قرار گرفتهاند. آزمایشها و تجزیه و تحلیل نظری تشدید سیکلوترون به تفصیل مورد بحث قرار گرفتهاند، زیرا نتایج برای درک فیزیک نیمهرساناها ضروری است. خواص نوری و انتقال، انتقال مغناطیسی، انتقال گاز الکترون دو بعدی (HEMT و MOSFET)، و انتقال کوانتومی بررسی میشوند که انتقال نوری، برهمکنشهای فونون الکترون، تحرک الکترون را توضیح میدهند. پیشرفت های اخیر در ساختارهای کوانتومی مانند گاز الکترونی دو بعدی، ابرشبکه ها، اثر هال کوانتومی، محصور شدن الکترون و فرمول لاندوئر گنجانده شده است. افکت کوانتومی هال با مدل های مختلفی ارائه شده است. در ویرایش دوم، انرژی جمع و ساختار الکترونیکی یک نقطه کوانتومی (اتم مصنوعی) با کمک دترمیناتورهای اسلاتر توضیح داده شده است. همچنین فیزیک لیزرهای نیمه هادی به تفصیل از جمله ضرایب انیشتین، گسیل تحریک شده، گسیل خود به خود، بهره لیزر، ساختارهای ناهمسان دوگانه، لیزرهای آبی، محصورسازی نوری، حالت های لیزر، لیزرهای چاه های کوانتومی فشرده شده که بینشی از نوع فیزیک را ارائه می دهد، شرح داده شده است. لیزرهای نیمه هادی، علاوه بر فرآیندهای مختلف لومینسانس.
This book presents a detailed description of the basic semiconductor physics. The reader is assumed to have a basic command of mathematics and some elementary knowledge of solid state physics. The text covers a wide range of important phenomena in semiconductors, from the simple to the advanced. The reader can understand three different methods of energy band calculations, empirical pseudo-potential, k.p perturbation and tight-binding methods. The effective mass approximation and electron motion in a periodic potential, Boltzmann transport equation and deformation potentials used for full band Monte Carlo simulation are discussed. Experiments and theoretical analysis of cyclotron resonance are discussed in detail because the results are essential to the understanding of semiconductor physics. Optical and transport properties, magneto-transport, two dimensional electron gas transport (HEMT and MOSFET), and quantum transport are reviewed, explaining optical transition, electron phonon interactions, electron mobility. Recent progress in quantum structures such as two-dimensional electron gas, superlattices, quantum Hall effect, electron confinement and the Landauer formula are included. The Quantum Hall effect is presented with different models. In the second edition, the addition energy and electronic structure of a quantum dot (artificial atom) are explained with the help of Slater determinants. Also the physics of semiconductor Lasers is described in detail including Einstein coefficients, stimulated emission, spontaneous emission, laser gain, double heterostructures, blue Lasers, optical confinement, laser modes, strained quantum wells lasers which will give insight into the physics of various kinds of semiconductor lasers, in addition to the various processes of luminescence.
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.