دانلود کتاب Dilute Nitride Semiconductors

ترجمه فارسی توضیحات (ترجمه ماشینی)

نیمه هادی های نیترید را رقیق کنید

* این کتاب حاوی گزارش کاملی از پیشرفت های حاصل شده در نیتریدهای رقیق است که نقطه شروع عالی برای کارگرانی است که وارد این حوزه می شوند.

* دسترسی آسان تر و ارزیابی بهتر روندهای آینده را به خواننده می دهد، نتایج مهم و ایده های فعلی را منتقل می کند

* شامل فهرست سخاوتمندانه ای از منابع در پایان هر فصل است که یک مرجع مفید برای جامعه تحقیقاتی نیمه هادی های مبتنی بر III-V-N ارائه می کند.

لیزرهای سرعت بالا که در طول موج 1.3 میکرومتر و 1.55 میکرومتر کار می کنند بسیار مهم هستند. منابع نور در ارتباطات نوری از آنجایی که فیبر نوری که به عنوان رسانه انتقال نور استفاده می شود دارای حداقل پراکندگی و میرایی به ترتیب در این طول موج ها است. این طول موج های بلند منحصراً از مواد InP-based InGaAsP/InP ساخته شده اند. با این حال، چندین مشکل در این سیستم مواد وجود دارد. بنابراین، سال‌ها تلاش قابل توجهی برای ساخت ساختارهای لیزری با طول موج بلند بر روی سایر بسترها، به‌ویژه GaAs صورت گرفته است. هزینه های ساخت قطعات مبتنی بر GaAs کمتر است و تکنیک های پردازش به خوبی توسعه یافته است. در سال 1996 یک ماده چهارتایی جدید GaInAsN پیشنهاد شد که می‌توانست از چندین مشکل با فناوری موجود لیزرهای با طول موج طولانی جلوگیری کند.

در این کتاب، چندین رهبر در زمینه نیتریدهای رقیق رشد و پردازش، خصوصیات تجربی و نظری را پوشش خواهند داد. درک و طراحی دستگاه و ساخت این کلاس اخیراً توسعه یافته از آلیاژهای نیمه هادی. آنها وضعیت فعلی تحقیق و توسعه خود را بررسی خواهند کرد.

نیمه هادی های رقیق نیترید (III-N-V): فیزیک و فناوری جدیدترین داده های موجود را سازماندهی می کند، منبعی آماده از اطلاعات را در مورد طیف گسترده ای از موضوعات فراهم می کند، و خواندن این کتاب را برای همه دانشجویان تحصیلات تکمیلی، محققان و پزشکان ضروری می کند. زمینه های نیمه هادی ها و اپتوالکترونیک

* این کتاب شامل شرح کاملی از پیشرفت های انجام شده در نیتریدهای رقیق شده است که نقطه شروع بسیار خوبی برای کارگرانی است که وارد این حوزه می شوند. * دسترسی آسان‌تر و ارزیابی بهتر روندهای آینده را به خواننده می‌دهد، نتایج مهم و ایده‌های فعلی را منتقل می‌کند * شامل فهرست سخاوتمندانه‌ای از منابع در پایان هر فصل است که یک مرجع مفید برای جامعه تحقیقاتی نیمه‌رساناهای مبتنی بر III-V-N ارائه می‌کند.

Dilute Nitride Semiconductors

* This book contains full account of the advances made in the dilute nitrides, providing an excellent starting point for workers entering the field.

* It gives the reader easier access and better evaluation of future trends, Conveying important results and current ideas

* Includes a generous list of references at the end of each chapter, providing a useful reference to the III-V-N based semiconductors research community.

The high speed lasers operating at wavelength of 1.3 µm and 1.55 µm are very important light sources in optical communications since the optical fiber used as a transport media of light has dispersion and attenuation minima, respectively, at these wavelengths. These long wavelengths are exclusively made of InP-based material InGaAsP/InP. However, there are several problems with this material system. Therefore, there has been considerable effort for many years to fabricate long wavelength laser structures on other substrates, especially GaAs. The manufacturing costs of GaAs-based components are lower and the processing techniques are well developed. In 1996 a novel quaternary material GaInAsN was proposed which could avoid several problems with the existing technology of long wavelength lasers.

In this book, several leaders in the field of dilute nitrides will cover the growth and processing, experimental characterization, theoretical understanding, and device design and fabrication of this recently developed class of semiconductor alloys. They will review their current status of research and development.

Dilute Nitrides (III-N-V) Semiconductors: Physics and Technology organises the most current available data, providing a ready source of information on a wide range of topics, making this book essential reading for all post graduate students, researchers and practitioners in the fields of Semiconductors and Optoelectronics

* This book contains full account of the advances made in the dilute nitrides, providing an excellent starting point for workers entering the field. * It gives the reader easier access and better evaluation of future trends, Conveying important results and current ideas * Includes a generous list of references at the end of each chapter, providing a useful reference to the III-V-N based semiconductors research community.