ترجمه فارسی توضیحات (ترجمه ماشینی)
مدارهای کاملاً تخلیه شده SOI CMOS و فناوری برای کاربردهای بسیار کم مصرف
مدارهای کاملاً تخلیه شده SOI CMOS و فناوری برای کاربردهای بسیار کم توان به مشکل کاهش ولتاژ منبع تغذیه مدارهای معمولی برای کار با توان فوق العاده کم می پردازد و طراحی مدار MTCMOS کم مصرف را برای دستگاه های FD-SOI در ولتاژ تغذیه 0.5 ولت توضیح می دهد. موضوعات شامل حداقل دانش مورد نیاز در مورد ساخت بسترهای SOI است. دستگاه های FD-SOI و آخرین پیشرفت ها در فناوری های دستگاه و فرآیند؛ و مدارهای ولتاژ فوق العاده کم، مانند مدارهای دیجیتال، مدارهای آنالوگ/RF و مبدل های DC-DC. هر تکنیک بسیار کم مصرف مربوط به دستگاه ها و مدارها به طور کامل با استفاده از شکل ها برای کمک به درک توضیح داده شده است.
Fully-depleted SOI CMOS Circuits and Technology for Ultralow-Power Applications addresses the problem of reducing the supply voltage of conventional circuits for ultralow-power operation and explains power-efficient MTCMOS circuit design for FD-SOI devices at a supply voltage of 0.5 V. The topics include the minimum required knowledge of the fabrication of SOI substrates; FD-SOI devices and the latest developments in device and process technologies; and ultralow-voltage circuits, such as digital circuits, analog/RF circuits, and DC-DC converters. Each ultra-low-power technique related to devices and circuits is fully explained using figures to help understanding.
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.