دانلود کتاب Leakage in Nanometer CMOS Technologies

49,000 تومان

نشت در فناوری های نانومتری CMOS


موضوع اصلی نانوتکنولوژی
نوع کالا کتاب الکترونیکی
ناشر Springer
تعداد صفحه 310
حجم فایل 17 مگابایت
کد کتاب 9780387257372,0387257373,0387281339,9780387281339
نویسنده
زبانانگلیسی
فرمتPDF
سال انتشار2006
مطلب پیشنهادی: با پول کتاب در ایران چی میشه خرید؟
در صورت نیاز به تبدیل فایل به فرمت‌های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می‌توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا در صورت امکان، فایل مورد نظر را تبدیل نمایند. سایت بَلیان دارای تخفیف پلکانی است، یعنی با افزودن کتاب بیشتر به سبدخرید، قیمت آن برای شما کاهش می‌یابد. جهت مشاهده درصد تخفیف‌ها بر روی «جدول تخفیف پلکانی» در پایین کلیک نمایید. جهت یافتن سایر کتاب‌های مشابه، از منو جستجو در بالای سایت استفاده نمایید.
شما می‌توانید با هر 1000 تومان خرید، ۱ شانس شرکت در قرعه‌کشی کتابخانه دیجیتال بلیان دریافت کنید و شانس خود را برای برنده شدن جوایز هیجان انگیز امتحان کنید. «شرایط شرکت در قرعه‌کشی»

جدول کد تخفیف

با افزودن چه تعداد کتاب به سبد‌خرید، چند‌ درصد تخفیف شامل آن خواهد شد؟ در این جدول پاسخ این سوال را خواهید یافت. برای مثال: اگر بین ۳ الی ۵ کتاب را در سبد خرید خود قرار دهید، ۲۵ درصد تخفیف شامل سبد‌خرید شما خواهد شد.
تعداد کتاب درصد تخفیف قیمت کتاب
1 بدون تخفیف 25,000 تومان
2 20 درصد 20,000 تومان
3 الی 5 25 درصد 18,750 تومان
6 الی 10 30 درصد 17,500 تومان
11 الی 20 35 درصد 16,250 تومان
21 الی 30 40 درصد 15,000 تومان
31 الی 40 45 درصد 13,750 تومان
41 الی 50 50 درصد 12,500 تومان
51 الی 70 55 درصد 11,250 تومان
71 الی 100 60 درصد 10,000 تومان
101 الی 150 65 درصد 8,750 تومان
151 الی 200 70 درصد 7,500 تومان
201 الی 300 75 درصد 6,250 تومان
301 الی 500 80 درصد 5,000 تومان
501 الی 1000 85 درصد 3,750 تومان
1001 الی 10000 90 درصد 2,500 تومان
توضیحات

ترجمه فارسی توضیحات (ترجمه ماشینی)

نشت در فناوری های نانومتری CMOS

Взято с ozon.ru:
“هدف نشتی در فناوری‌های نانومتری CMOS ارائه یک نمونه از جزئیات است تا خواننده بتواند بفهمد که چرا اجزای برق نشتی در سیستم‌های CMOS که از دستگاه‌های MOS در مقیاس نانومتری استفاده می‌کنند، به طور فزاینده‌ای مرتبط می‌شوند. منابع جریان نشتی در سطح دستگاه MOS از جمله زیر آستانه و انواع مختلف تونل سازی به تفصیل مورد بحث قرار گرفته است.این کتاب راه حل های امیدوارکننده ای را در سطوح دستگاه، مدار و معماری انتزاع پوشش می دهد.تجلی این اجزای نشت دستگاه MOS در سطح تراشه کامل به طور قابل توجهی به چندین جنبه از جمله ماهیت بستگی دارد. بلوک مدار، وضعیت آن، بار کاری کاربردی آن، و شرایط فرآیند/ولتاژ/دما. حساسیت منابع مختلف نشت MOS به این شرایط از اصول اولیه توضیح داده شده است. تظاهرات حاصل به طور مفصل مورد بحث قرار گرفته است تا به خواننده کمک کند تا اثربخشی راه حل های کاهش توان نشتی تحت این شرایط مختلف مطالعه موردی es برای برجسته کردن نمونه های دنیای واقعی ارائه شده است که از مزایای راه حل های کاهش توان نشتی بهره می برند. در نهایت، این کتاب انتخاب های مختلف طراحی دستگاه را که برای کاهش افزایش اجزای نشت به عنوان مقیاس های فناوری وجود دارد، برجسته می کند.”Целью данной мог понять, почему утечка мощности становится всё более и более значимой в КМОП системах, которые используют наноразмерные МОП элементы. То, что источники тока утечки на уровне МОП устройств включают в себя подпороговое и прочие типы туннелирования, подробно обсуждаются. В книге рассматриваются решения данной проблемы на уровне устройств, схем и архитектуры. Проявление этих КМОП компонетнов утечки в масштабах микросхемы значительно зависит от нескольких факторов таких как структура блока микросхем, его состояния, применения, техпроцесса/напряжения/температуры. Влияние этих факторов на различные источники утечки объясняется на основе вышеперечисленных принципов .В завершении,в книге подчёркнуты различные ст руктуры устройств, выбор которых позволит перейти к рассмотрению такого компоненты утечки как технологический размер.

کرنشوت


Leakage in Nanometer CMOS Technologies

Взято с ozon.ru:
“The goal of Leakage in Nanometer CMOS Technologies is to provide a sample detail so that the reader can understand why leakage power components are becoming increasingly relevant in CMOS systems that use nanometer scale MOS devices. Leakage current sources at the MOS device level including sub-threshold and different types of tunneling are discussed in detail. The book covers a promising solutions at the device, circuit, and architecture levels of abstraction. Manifestation of these MOS device leakage components at the full chip level depends considerably on several aspects including the nature of the circuit block, its state, its application workload, and Process/Voltage/Temperature conditions. The sensitivity of the various MOS leakage sources to these conditions are described from the first principles. The resulting manifestations are discussed at length to help the reader understand the effectiveness of leakage power reduction solutions under these different conditions. Case studies are presented to highlight real world examples that reap the benefits of leakage power reduction solutions. Finally, the book highlights different device design choices that exist to mitigate increases in the leakage components as technology scales.”Целью данной книги является детальное рассмотрение примеров для того, чтобы читатель мог понять, почему утечка мощности становится всё более и более значимой в КМОП системах, которые используют наноразмерные МОП элементы. То, что источники тока утечки на уровне МОП устройств включают в себя подпороговое и прочие типы туннелирования, подробно обсуждаются. В книге рассматриваются решения данной проблемы на уровне устройств, схем и архитектуры. Проявление этих КМОП компонетнов утечки в масштабах микросхемы значительно зависит от нескольких факторов таких как структура блока микросхем, его состояния, применения, техпроцесса/напряжения/температуры. Влияние этих факторов на различные источники утечки объясняется на основе вышеперечисленных принципов.В завершении,в книге подчёркнуты различные структуры устройств, выбор которых позволит перейти к рассмотрению такого компоненты утечки как технологический размер.

Скриншот

نظرات (0)

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “دانلود کتاب Leakage in Nanometer CMOS Technologies”