دانلود کتاب Leakage in Nanometer CMOS Technologies
49,000 تومان
نشت در فناوری های نانومتری CMOS
| موضوع اصلی | نانوتکنولوژی |
|---|---|
| نوع کالا | کتاب الکترونیکی |
| ناشر | Springer |
| تعداد صفحه | 310 |
| حجم فایل | 17 مگابایت |
| کد کتاب | 9780387257372,0387257373,0387281339,9780387281339 |
| نویسنده | Anantha P. Chandrakasan, Siva G. Narendra |
|---|---|
| زبان | انگلیسی |
| فرمت | |
| سال انتشار | 2006 |
جدول کد تخفیف
| تعداد کتاب | درصد تخفیف | قیمت کتاب |
| 1 | بدون تخفیف | 25,000 تومان |
| 2 | 20 درصد | 20,000 تومان |
| 3 الی 5 | 25 درصد | 18,750 تومان |
| 6 الی 10 | 30 درصد | 17,500 تومان |
| 11 الی 20 | 35 درصد | 16,250 تومان |
| 21 الی 30 | 40 درصد | 15,000 تومان |
| 31 الی 40 | 45 درصد | 13,750 تومان |
| 41 الی 50 | 50 درصد | 12,500 تومان |
| 51 الی 70 | 55 درصد | 11,250 تومان |
| 71 الی 100 | 60 درصد | 10,000 تومان |
| 101 الی 150 | 65 درصد | 8,750 تومان |
| 151 الی 200 | 70 درصد | 7,500 تومان |
| 201 الی 300 | 75 درصد | 6,250 تومان |
| 301 الی 500 | 80 درصد | 5,000 تومان |
| 501 الی 1000 | 85 درصد | 3,750 تومان |
| 1001 الی 10000 | 90 درصد | 2,500 تومان |
ترجمه فارسی توضیحات (ترجمه ماشینی)
نشت در فناوری های نانومتری CMOS
Взято с ozon.ru:
“هدف نشتی در فناوریهای نانومتری CMOS ارائه یک نمونه از جزئیات است تا خواننده بتواند بفهمد که چرا اجزای برق نشتی در سیستمهای CMOS که از دستگاههای MOS در مقیاس نانومتری استفاده میکنند، به طور فزایندهای مرتبط میشوند. منابع جریان نشتی در سطح دستگاه MOS از جمله زیر آستانه و انواع مختلف تونل سازی به تفصیل مورد بحث قرار گرفته است.این کتاب راه حل های امیدوارکننده ای را در سطوح دستگاه، مدار و معماری انتزاع پوشش می دهد.تجلی این اجزای نشت دستگاه MOS در سطح تراشه کامل به طور قابل توجهی به چندین جنبه از جمله ماهیت بستگی دارد. بلوک مدار، وضعیت آن، بار کاری کاربردی آن، و شرایط فرآیند/ولتاژ/دما. حساسیت منابع مختلف نشت MOS به این شرایط از اصول اولیه توضیح داده شده است. تظاهرات حاصل به طور مفصل مورد بحث قرار گرفته است تا به خواننده کمک کند تا اثربخشی راه حل های کاهش توان نشتی تحت این شرایط مختلف مطالعه موردی es برای برجسته کردن نمونه های دنیای واقعی ارائه شده است که از مزایای راه حل های کاهش توان نشتی بهره می برند. در نهایت، این کتاب انتخاب های مختلف طراحی دستگاه را که برای کاهش افزایش اجزای نشت به عنوان مقیاس های فناوری وجود دارد، برجسته می کند.”–Целью данной мог понять, почему утечка мощности становится всё более и более значимой в КМОП системах, которые используют наноразмерные МОП элементы. То, что источники тока утечки на уровне МОП устройств включают в себя подпороговое и прочие типы туннелирования, подробно обсуждаются. В книге рассматриваются решения данной проблемы на уровне устройств, схем и архитектуры. Проявление этих КМОП компонетнов утечки в масштабах микросхемы значительно зависит от нескольких факторов таких как структура блока микросхем, его состояния, применения, техпроцесса/напряжения/температуры. Влияние этих факторов на различные источники утечки объясняется на основе вышеперечисленных принципов .В завершении,в книге подчёркнуты различные ст руктуры устройств, выбор которых позволит перейти к рассмотрению такого компоненты утечки как технологический размер.
کرنشوت
Взято с ozon.ru:
“The goal of Leakage in Nanometer CMOS Technologies is to provide a sample detail so that the reader can understand why leakage power components are becoming increasingly relevant in CMOS systems that use nanometer scale MOS devices. Leakage current sources at the MOS device level including sub-threshold and different types of tunneling are discussed in detail. The book covers a promising solutions at the device, circuit, and architecture levels of abstraction. Manifestation of these MOS device leakage components at the full chip level depends considerably on several aspects including the nature of the circuit block, its state, its application workload, and Process/Voltage/Temperature conditions. The sensitivity of the various MOS leakage sources to these conditions are described from the first principles. The resulting manifestations are discussed at length to help the reader understand the effectiveness of leakage power reduction solutions under these different conditions. Case studies are presented to highlight real world examples that reap the benefits of leakage power reduction solutions. Finally, the book highlights different device design choices that exist to mitigate increases in the leakage components as technology scales.”–Целью данной книги является детальное рассмотрение примеров для того, чтобы читатель мог понять, почему утечка мощности становится всё более и более значимой в КМОП системах, которые используют наноразмерные МОП элементы. То, что источники тока утечки на уровне МОП устройств включают в себя подпороговое и прочие типы туннелирования, подробно обсуждаются. В книге рассматриваются решения данной проблемы на уровне устройств, схем и архитектуры. Проявление этих КМОП компонетнов утечки в масштабах микросхемы значительно зависит от нескольких факторов таких как структура блока микросхем, его состояния, применения, техпроцесса/напряжения/температуры. Влияние этих факторов на различные источники утечки объясняется на основе вышеперечисленных принципов.В завершении,в книге подчёркнуты различные структуры устройств, выбор которых позволит перейти к рассмотрению такого компоненты утечки как технологический размер.

نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.