دانلود کتاب Planar double-gate transistor: from technology to circuit
49,000 تومان
ترانزیستور دو دروازه ای مسطح: از تکنولوژی به مدار
| موضوع اصلی | فن آوری |
|---|---|
| نوع کالا | کتاب الکترونیکی |
| ناشر | Springer |
| تعداد صفحه | 215 |
| حجم فایل | 7 مگابایت |
| کد کتاب | 9781402093272,1402093276,1402093411,9781402093418 |
| نویسنده | Amara Amara, Olivier Rozeau |
|---|---|
| زبان | انگلیسی |
| فرمت | |
| سال انتشار | 2009 |
جدول کد تخفیف
| تعداد کتاب | درصد تخفیف | قیمت کتاب |
| 1 | بدون تخفیف | 25,000 تومان |
| 2 | 20 درصد | 20,000 تومان |
| 3 الی 5 | 25 درصد | 18,750 تومان |
| 6 الی 10 | 30 درصد | 17,500 تومان |
| 11 الی 20 | 35 درصد | 16,250 تومان |
| 21 الی 30 | 40 درصد | 15,000 تومان |
| 31 الی 40 | 45 درصد | 13,750 تومان |
| 41 الی 50 | 50 درصد | 12,500 تومان |
| 51 الی 70 | 55 درصد | 11,250 تومان |
| 71 الی 100 | 60 درصد | 10,000 تومان |
| 101 الی 150 | 65 درصد | 8,750 تومان |
| 151 الی 200 | 70 درصد | 7,500 تومان |
| 201 الی 300 | 75 درصد | 6,250 تومان |
| 301 الی 500 | 80 درصد | 5,000 تومان |
| 501 الی 1000 | 85 درصد | 3,750 تومان |
| 1001 الی 10000 | 90 درصد | 2,500 تومان |
ترجمه فارسی توضیحات (ترجمه ماشینی)
ترانزیستور دو دروازه ای مسطح: از تکنولوژی به مدار
این کتاب در مورد دستگاه ها و مدارهای Double-Gates منحصر به فرد است و هدف آن تقویت هم افزایی بین فعالیت های تحقیقاتی در دستگاه های زیر 32 نانومتری CMOS و طراحی سلول های ابتدایی است. هدف این است که به این نکته اشاره کنیم که چگونه میتوانیم از ساختارهای ترانزیستوری جدید برای دستیابی به سلولها و مفاهیم پایه جدید استفاده کنیم که از ویژگیهای الکتریکی این دستگاههای جدید و پیشرفتی که به ارمغان میآورند بهرهبرداری کند.
Planar. ترانزیستور Double-Gate عمدتاً بر روی ترانزیستورهای SOI CMOS تمرکز میکند که به طور کامل با گیتهای مسطح دوگانه مستقل تخلیه شدهاند (مسطح مستقل Double Gates Transistors: IPDGT)، یک نامزد بالقوه برای گره های تکنولوژیکی زیر 32 نانومتر همانطور که توسط نقشه راه فعلی ITRS برنامه ریزی شده است.
Planar double-gate transistor: from technology to circuit
This book on Double-Gates devices and circuit is unique and aims to reinforce the synergy between the research activities on CMOS sub-32nm devices and the design of elementary cells. The goal is to point out how we can take advantage of new transistor structures to come up with new basic cells and concepts that exploit the electrical features of these new devices and the breakthrough they bring.
Planar Double-Gate Transistor will mainly focus on SOI CMOS transistors, fully depleted with double independent planar Gates (Independent Planar Double Gates Transistors: IPDGT), a potential candidate for the sub-32 nm technological nodes as planned by the current ITRS Roadmap.
برای فرستادن دیدگاه، باید وارد شده باشید.
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.