دانلود کتاب Radio Frequency Transistors. Principles and Practical Applications

ترجمه فارسی توضیحات (ترجمه ماشینی)

ترانزیستورهای فرکانس رادیویی اصول و کاربردهای عملی

ترانزیستورهای فرکانس رادیویی: اصول و کاربردهای عملی یک کیت ابزار کامل برای طراحی موفق مدار RF است. با ادامه گسترش زمینه های ارتباطات سلولی و ماهواره ای، نیاز به طراحی مدار RF افزایش می یابد. ترانزیستورهای فرکانس رادیویی حاوی انبوهی از اطلاعات طراحی عملی بر اساس سالها تجربه نویسندگانی است که با سازندگان پیشرو قطعات RF کار کرده اند. این کتاب در درجه اول بر روی منطقه دشوارتر طراحی و ساخت تقویت کننده ترانزیستور توان بالا تمرکز دارد. یک فصل کامل که صرفاً به ترانزیستورهای RF با قدرت بالا LDMOS اختصاص دارد به نسخه جدید اضافه شده است. مقایسه ای بین FET های LDMOS، FET های TMOS و ترانزیستورهای دوقطبی ارائه شده است، که به وضوح نشان می دهد که چرا LDMOS انتخاب طراح برای تقویت کننده های خطی و توان بالا در دنیای دیجیتال ارتباطات امروزی است که به سرعت در حال گسترش است. پوشش همچنین شامل کاربردهای ترانزیستورهای توان بالا LDMOS RF در فن‌آوری‌های سلولی نسل فعلی، طراحی تقویت‌کننده‌های توان بالا LDMOS و نظراتی در مورد آخرین تلاش‌ها برای مدل‌سازی دستگاه‌های قدرت LDMOS RF است. سایر موضوعات تحت پوشش عبارتند از انتخاب ترانزیستورهای RF با توان بالا، تطبیق امپدانس ورودی ترانزیستورهای توان بالا، تطبیق بین مرحله‌ای و خازن‌ها و سلف‌ها در فرکانس‌های رادیویی. به طور کامل به روز شده تا شامل جدیدترین فناوری پیشرفته طراحی مدار RF باشد. حاوی توصیه های عملی و عملی طراحی برای کمک به صرفه جویی در زمان، پول و منابع است که توسط مهندسان نوشته شده است تا مهندسان در این زمینه از آنها استفاده کنند.

Radio Frequency Transistors. Principles and Practical Applications

Radio Frequency Transistors: Principles and Practical Applications is a complete tool kit for successful RF circuit design. As cellular and satellite communications fields continue to expand, the need for RF circuit design grows. Radio Frequency Transistors contains a wealth of practical design information based on years of experience from authors who have worked with the leading manufacturers of RF components. The book focuses primarily on the more difficult area of high power transistor amplifier design and construction. An entire chapter devoted solely to LDMOS high power RF transistors has been added to the new edition. A comparison is given between LDMOS FETs, TMOS FETs and bipolar transistors, showing clearly why LDMOS is the designer’s choice for high power, linear amplifiers in today’s rapidly expanding digital world of communications. Coverage also includes applications of LDMOS RF high power transistors in current generation cellular technologies, the design of LDMOS high power amplifiers, and comments about the latest efforts to model LDMOS RF power devices. Other topics covered include the selection of matched high power RF transistors, input impedance matching of high power transistors, interstage matching, and capacitors and inductors at radio frequencies. Fully updated to include the newest cutting edge technology of RF circuit design. Contains practical, hands-on design advice to help you save time, money and resources Written by engineers for engineers to use in the field.