دانلود کتاب Silicon carbide power devices
49,000 تومان
دستگاه های قدرت کاربید سیلیکون
| موضوع اصلی | الکترونیک: رادیو |
|---|---|
| نوع کالا | کتاب الکترونیکی |
| ناشر | World Scientific Pub Co Inc |
| تعداد صفحه | 526 |
| حجم فایل | 24 مگابایت |
| کد کتاب | 9812566058,9789812566058,9789812774521 |
| نویسنده | B. Jayant Baliga |
|---|---|
| زبان | انگلیسی |
| فرمت | |
| سال انتشار | 2006 |
جدول کد تخفیف
| تعداد کتاب | درصد تخفیف | قیمت کتاب |
| 1 | بدون تخفیف | 25,000 تومان |
| 2 | 20 درصد | 20,000 تومان |
| 3 الی 5 | 25 درصد | 18,750 تومان |
| 6 الی 10 | 30 درصد | 17,500 تومان |
| 11 الی 20 | 35 درصد | 16,250 تومان |
| 21 الی 30 | 40 درصد | 15,000 تومان |
| 31 الی 40 | 45 درصد | 13,750 تومان |
| 41 الی 50 | 50 درصد | 12,500 تومان |
| 51 الی 70 | 55 درصد | 11,250 تومان |
| 71 الی 100 | 60 درصد | 10,000 تومان |
| 101 الی 150 | 65 درصد | 8,750 تومان |
| 151 الی 200 | 70 درصد | 7,500 تومان |
| 201 الی 300 | 75 درصد | 6,250 تومان |
| 301 الی 500 | 80 درصد | 5,000 تومان |
| 501 الی 1000 | 85 درصد | 3,750 تومان |
| 1001 الی 10000 | 90 درصد | 2,500 تومان |
ترجمه فارسی توضیحات (ترجمه ماشینی)
دستگاه های قدرت کاربید سیلیکون
دستگاه های نیمه هادی قدرت به طور گسترده ای برای کنترل و مدیریت انرژی الکتریکی استفاده می شود. بهبود عملکرد دستگاههای قدرت باعث کاهش هزینهها و افزایش کارایی شده و در نتیجه مصرف سوختهای فسیلی کمتر و آلودگی زیستمحیطی کمتری دارد. این کتاب اولین درمان منسجم فیزیک و طراحی دستگاه های قدرت کاربید سیلیکون را با تاکید بر ساختارهای تک قطبی ارائه می دهد. از نتایج شبیهسازیهای عددی گسترده برای روشن کردن اصول عملکرد این دستگاههای مهم استفاده میکند.
مطالب: خواص مواد و فناوری. ولتاژ شکست؛ یکسو کننده های پین؛ یکسو کننده های شاتکی؛ یکسو کننده های شاتکی محافظ; ترانزیستورهای اثر میدانی فلزی نیمه هادی. پیکربندی Baliga-Pair; ماسفت های قدرت مسطح; ماسفت های مسطح محافظ؛ ماسفت های برقی ترنچ گیت; ماسفت های شیلددار Trendch-Gate; ساختارهای همراه شارژ. دیودهای انتگرال؛ FET های ولتاژ بالا جانبی؛ خلاصه داستان
Silicon carbide power devices
Power semiconductor devices are widely used for the control and management of electrical energy. The improving performance of power devices has enabled cost reductions and efficiency increases resulting in lower fossil fuel usage and less environmental pollution. This book provides the first cohesive treatment of the physics and design of silicon carbide power devices with an emphasis on unipolar structures. It uses the results of extensive numerical simulations to elucidate the operating principles of these important devices.
Contents: Material Properties and Technology; Breakdown Voltage; PiN Rectifiers; Schottky Rectifiers; Shielded Schottky Rectifiers; Metal-Semiconductor Field Effect Transistors; The Baliga-Pair Configuration; Planar Power MOSFETs; Shielded Planar MOSFETs; Trench-Gate Power MOSFETs; Shielded Trendch-Gate MOSFETs; Charge Coupled Structures; Integral Diodes; Lateral High Voltage FETs; Synopsis.
برای فرستادن دیدگاه، باید وارد شده باشید.
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.