دانلود کتاب Silicon RF power MOSFETS
49,000 تومان
ماسفت های قدرت RF سیلیکونی
| موضوع اصلی | الکترونیک: رادیو |
|---|---|
| نوع کالا | کتاب الکترونیکی |
| ناشر | World Scientific |
| تعداد صفحه | 320 |
| حجم فایل | 19 مگابایت |
| کد کتاب | 9812561218,9789812561213,9789812569325 |
| نویسنده | B. Jayant Baliga |
|---|---|
| زبان | انگلیسی |
| فرمت | |
| سال انتشار | 2005 |
جدول کد تخفیف
| تعداد کتاب | درصد تخفیف | قیمت کتاب |
| 1 | بدون تخفیف | 25,000 تومان |
| 2 | 20 درصد | 20,000 تومان |
| 3 الی 5 | 25 درصد | 18,750 تومان |
| 6 الی 10 | 30 درصد | 17,500 تومان |
| 11 الی 20 | 35 درصد | 16,250 تومان |
| 21 الی 30 | 40 درصد | 15,000 تومان |
| 31 الی 40 | 45 درصد | 13,750 تومان |
| 41 الی 50 | 50 درصد | 12,500 تومان |
| 51 الی 70 | 55 درصد | 11,250 تومان |
| 71 الی 100 | 60 درصد | 10,000 تومان |
| 101 الی 150 | 65 درصد | 8,750 تومان |
| 151 الی 200 | 70 درصد | 7,500 تومان |
| 201 الی 300 | 75 درصد | 6,250 تومان |
| 301 الی 500 | 80 درصد | 5,000 تومان |
| 501 الی 1000 | 85 درصد | 3,750 تومان |
| 1001 الی 10000 | 90 درصد | 2,500 تومان |
ترجمه فارسی توضیحات (ترجمه ماشینی)
ماسفت های قدرت RF سیلیکونی
گسترش شبکه های تلفن همراه در سراسر جهان سیستم های مخابراتی را متحول کرده است. انتقال از فناوری RF آنالوگ به دیجیتال، افزایش قابل توجهی در ترافیک صوتی با استفاده از طیف موجود و متعاقباً ارائه پیامهای متنی مبتنی بر دیجیتال، گرافیک و حتی پخش ویدیو را امکان پذیر کرد. استقرار شبکه های دیجیتال مستلزم مهاجرت به تقویت کننده های توان RF چند حامل با تقاضاهای سختگیرانه در خطی بودن و کارایی است. این کتاب فیزیک، ملاحظات طراحی و عملکرد RF ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید نیمه هادی-نیمه هادی (MOSFET) را که در قلب تقویت کننده های قدرت قرار دارند، تشریح می کند. اختراع و تجاری سازی اخیر ماسفت های قدرت RF بر اساس حالت عملکرد فوق خطی برای اولین بار در این کتاب توضیح داده شده است. علاوه بر درمان تحلیلی فیزیک، توضیحات گسترده ای از عملکرد ترانزیستور با استفاده از نتایج شبیه سازی های عددی ارائه شده است. بسیاری از ساختارهای جدید ماسفت قدرتمند تجزیه و تحلیل شده و عملکرد آنها با ماسفت های با انتشار جانبی (LD) مقایسه می شود که در حال حاضر در شبکه های 2G و 3G استفاده می شود.
Silicon RF power MOSFETS
The world-wide proliferation of cellular networks has revolutionized telecommunication systems. The transition from Analog to Digital RF technology enabled substantial increase in voice traffic using available spectrum, and subsequently the delivery of digitally based text messaging, graphics and even streaming video. The deployment of digital networks has required migration to multi-carrier RF power amplifiers with stringent demands on linearity and efficiency. This book describes the physics, design considerations and RF performance of silicon power Metal-Oxide- Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) that are at the heart of the power amplifiers. The recent invention and commercialization of RF power MOSFETs based on the super-linear mode of operation is described in this book for the first time. In addition to the analytical treatment of the physics, extensive description of transistor operation is provided by using the results of numerical simulations. Many novel power MOSFET structures are analyzed and their performance is compared with those of the laterally-diffused (LD) MOSFET that are currently used in 2G and 3G networks.
برای فرستادن دیدگاه، باید وارد شده باشید.
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.