دانلود کتاب Compact transistor Modelling for circuit design
49,000 تومان
مدل سازی ترانزیستور فشرده برای طراحی مدار
| موضوع اصلی | فیزیک |
|---|---|
| نوع کالا | کتاب الکترونیکی |
| ناشر | Springer-Verlag |
| تعداد صفحه | 182 |
| حجم فایل | 43 مگابایت |
| کد کتاب | 0387821368,9780387821368 |
| نویسنده | F. M. Klaassen, H. C. De Graaff |
|---|---|
| زبان | انگلیسی |
| فرمت | |
| سال انتشار | 1990 |
جدول کد تخفیف
| تعداد کتاب | درصد تخفیف | قیمت کتاب |
| 1 | بدون تخفیف | 25,000 تومان |
| 2 | 20 درصد | 20,000 تومان |
| 3 الی 5 | 25 درصد | 18,750 تومان |
| 6 الی 10 | 30 درصد | 17,500 تومان |
| 11 الی 20 | 35 درصد | 16,250 تومان |
| 21 الی 30 | 40 درصد | 15,000 تومان |
| 31 الی 40 | 45 درصد | 13,750 تومان |
| 41 الی 50 | 50 درصد | 12,500 تومان |
| 51 الی 70 | 55 درصد | 11,250 تومان |
| 71 الی 100 | 60 درصد | 10,000 تومان |
| 101 الی 150 | 65 درصد | 8,750 تومان |
| 151 الی 200 | 70 درصد | 7,500 تومان |
| 201 الی 300 | 75 درصد | 6,250 تومان |
| 301 الی 500 | 80 درصد | 5,000 تومان |
| 501 الی 1000 | 85 درصد | 3,750 تومان |
| 1001 الی 10000 | 90 درصد | 2,500 تومان |
ترجمه فارسی توضیحات (ترجمه ماشینی)
مدل سازی ترانزیستور فشرده برای طراحی مدار
این متن مدل های ترانزیستور فشرده تحلیلی را توصیف می کند که می توانند در برنامه های شبیه سازی مدار مانند SPICE استفاده شوند. این به خواننده آگاهی کامل از بسیاری از جنبه های مدل های فشرده را ارائه می دهد. کتاب با فیزیک دستگاه لازم شروع می شود: معادله حمل و نقل بولتزمن. معادله تداوم؛ معادله پواسون؛ و مدل سازی فیزیکی تحرک، نوترکیبی، باریک شدن شکاف باند، ضرب بهمن و نویز. سپس، یک درمان سیستماتیک از فرمولهای تحلیلی که رفتار دستگاه را در موقعیتهای DC، AC و گذرا توصیف میکنند برای هر دو دستگاه دوقطبی و MOST ارائه میشود. کتاب شامل مجموعه کاملی از معادلات مدل برای مدل های مختلف از جمله برخی مدل های جدید است و به مسائل عددی تداوم تحلیلی توجه ویژه ای شده است. فصلهای جداگانهای به تعیین پارامتر، وابستگی به دمای پارامتر، و همچنین ارتباط آنها با متغیرهای فرآیند، همبستگیهای آماری بین پارامترها، قوانین مقیاسگذاری برای دستگاههای زیر میکرون، اثرات دیواره جانبی و انگلی اختصاص دارد.
Compact transistor Modelling for circuit design
This text describes analytical compact transistor models that can be used in circuit simulation programs like SPICE. It provides the reader with a thorough knowledge of many aspects of compact models. The book starts with the necessary device physics: Boltzmann transport equation; continuity equation; Poisson equation; and physical modelling of mobility, recombination, bandgap narrowing, avalanche multiplication and noise. Then, a systematic treatment of the analytical formulas that describe the device behaviour in DC, AC and transient situations is given for both bipolar and MOST devices. The book contains complete sets of model equations for various models, including some new ones, and special attention is paid to the numerical problems of analytical continuity. Separate chapters are devoted to parameter determination, the parameter temperature dependence, as well as their relation to process variables, the statistical correlations between parameters, the scaling rules for submicron devices, the side-wall effects and the parasitics.
برای فرستادن دیدگاه، باید وارد شده باشید.
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.