دانلود کتاب Fundamentals of Modern VLSI Devices
36,000 تومان
مبانی دستگاه های مدرن VLSI
| موضوع اصلی | الکترونیک: VLSI |
|---|---|
| نوع کالا | کتاب الکترونیکی |
| ناشر | Cambridge University Press |
| تعداد صفحه | 680 |
| حجم فایل | 32 مگابایت |
| کد کتاب | 0521832942,9780521832946 |
| نوبت چاپ | 2 |
| نویسنده | , |
|---|---|
| زبان |
انگلیسی |
| فرمت |
|
| سال انتشار |
2009 |
جدول کد تخفیف
| تعداد کتاب | درصد تخفیف | قیمت کتاب |
| 1 | بدون تخفیف | 25,000 تومان |
| 2 | 20 درصد | 20,000 تومان |
| 3 الی 5 | 25 درصد | 18,750 تومان |
| 6 الی 10 | 30 درصد | 17,500 تومان |
| 11 الی 20 | 35 درصد | 16,250 تومان |
| 21 الی 30 | 40 درصد | 15,000 تومان |
| 31 الی 40 | 45 درصد | 13,750 تومان |
| 41 الی 50 | 50 درصد | 12,500 تومان |
| 51 الی 70 | 55 درصد | 11,250 تومان |
| 71 الی 100 | 60 درصد | 10,000 تومان |
| 101 الی 150 | 65 درصد | 8,750 تومان |
| 151 الی 200 | 70 درصد | 7,500 تومان |
| 201 الی 300 | 75 درصد | 6,250 تومان |
| 301 الی 500 | 80 درصد | 5,000 تومان |
| 501 الی 1000 | 85 درصد | 3,750 تومان |
| 1001 الی 10000 | 90 درصد | 2,500 تومان |
ترجمه فارسی توضیحات (ترجمه ماشینی)
مبانی دستگاه های مدرن VLSI
با این نسخه دوم کاملاً به‌روز شده، ویژگی‌ها و طراحی‌های دستگاه‌های مدرن VLSI و همچنین عوامل مؤثر بر عملکرد را بیاموزید. نسخه اول به طور گسترده ای به عنوان یک کتاب درسی استاندارد در میکروالکترونیک در بسیاری از دانشگاه های بزرگ ایالات متحده و در سراسر جهان پذیرفته شده است. نویسندگان مشهور بین‌المللی، وابستگی‌های متقابل پیچیده و مبادلات ظریف بین پارامترهای مختلف عملا مهم دستگاه را برجسته می‌کنند، و همچنین بحثی عمیق در مورد مقیاس‌بندی دستگاه و محدودیت‌های مقیاس‌بندی دستگاه‌های CMOS و دوقطبی ارائه می‌کنند. معادلات و پارامترهای ارائه شده به طور مداوم در برابر واقعیت داده های سیلیکونی بررسی می شوند، و این کتاب را به همان اندازه در طراحی ترانزیستور عملی و در کلاس درس مفید می کند. هر فصل به‌روزرسانی شده است تا آخرین پیشرفت‌ها را شامل شود، مانند نظریه طول مقیاس ماسفت، مدل حمل و نقل با میدان بالا، و دستگاه‌های دوقطبی مبتنی بر SiGe.
Learn the basic properties and designs of modern VLSI devices, as well as the factors affecting performance, with this thoroughly updated second edition. The first edition has been widely adopted as a standard textbook in microelectronics in many major US universities and worldwide. The internationally-renowned authors highlight the intricate interdependencies and subtle tradeoffs between various practically important device parameters, and also provide an in-depth discussion of device scaling and scaling limits of CMOS and bipolar devices. Equations and parameters provided are checked continuously against the reality of silicon data, making the book equally useful in practical transistor design and in the classroom. Every chapter has been updated to include the latest developments, such as MOSFET scale length theory, high-field transport model, and SiGe-base bipolar devices.
برای فرستادن دیدگاه، باید وارد شده باشید.
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.