دانلود کتاب Hydrogen in Semiconductors
49,000 تومان
هیدروژن در نیمه هادی ها
| موضوع اصلی | شیمی فیزیک |
|---|---|
| نوع کالا | کتاب الکترونیکی |
| ناشر | Academic Press |
| تعداد صفحه | iii-xiii, 1-629 |
| حجم فایل | 10 مگابایت |
| کد کتاب | 0127521348,9780127521343 |
| نویسنده | Jacques I. Pankove and Noble M. Johnson (Eds.) |
|---|---|
| زبان | انگلیسی |
| فرمت | |
| سال انتشار | 1991 |
جدول کد تخفیف
| تعداد کتاب | درصد تخفیف | قیمت کتاب |
| 1 | بدون تخفیف | 25,000 تومان |
| 2 | 20 درصد | 20,000 تومان |
| 3 الی 5 | 25 درصد | 18,750 تومان |
| 6 الی 10 | 30 درصد | 17,500 تومان |
| 11 الی 20 | 35 درصد | 16,250 تومان |
| 21 الی 30 | 40 درصد | 15,000 تومان |
| 31 الی 40 | 45 درصد | 13,750 تومان |
| 41 الی 50 | 50 درصد | 12,500 تومان |
| 51 الی 70 | 55 درصد | 11,250 تومان |
| 71 الی 100 | 60 درصد | 10,000 تومان |
| 101 الی 150 | 65 درصد | 8,750 تومان |
| 151 الی 200 | 70 درصد | 7,500 تومان |
| 201 الی 300 | 75 درصد | 6,250 تومان |
| 301 الی 500 | 80 درصد | 5,000 تومان |
| 501 الی 1000 | 85 درصد | 3,750 تومان |
| 1001 الی 10000 | 90 درصد | 2,500 تومان |
ترجمه فارسی توضیحات (ترجمه ماشینی)
هیدروژن در نیمه هادی ها
هیدروژن نقش مهمی در فناوری سیلیکون ایفا می کند و تأثیر عمیقی بر طیف گسترده ای از خواص دارد. بنابراین، مطالعه هیدروژن در نیمه رساناها مورد توجه بسیاری از محققان بین رشته ای قرار گرفته است. این جلد شانزده فصلی مروری جامع از این میدان ارائه میکند، از جمله بحث در مورد روشهای هیدروژناسیون، استفاده از هیدروژن برای غیرفعال کردن نقصها، استفاده از هیدروژن برای خنثی کردن سطوح عمیق، گیرندههای کم عمق و اهداکنندگان کم عمق در سیلیکون، طیفسنجی ارتعاشی و هیدروژن. نقص های ناشی از سیلیکون علاوه بر این پوشش دقیق هیدروژن در سیلیکون، فصل هایی ارائه شده است که پدیده های مرتبط با هیدروژن در ژرمانیوم و خنثی سازی عیوب و مواد ناخالص در نیمه هادی های III*b1V را مورد بحث قرار می دهد. عمیق ترین پوشش هیدروژن در سیلیکون موجود در یک منبع را ارائه می دهد**شامل یک فصل گسترده در مورد خنثی سازی عیوب در نیمه هادی های III*b1V**هم مطالعات تجربی و هم مطالعات نظری را برای تشکیل یک مرجع جامع ترکیب می کند.
Hydrogen in Semiconductors
Hydrogen plays an important role in silicon technology, having a profound effect on a wide range of properties. Thus, the study of hydrogen in semiconductors has received much attention from an interdisciplinary assortment of researchers. This sixteen-chapter volume provides a comprehensive review of the field, including a discussion of hydrogenation methods, the use of hydrogen to passivate defects, the use of hydrogen to neutralize deep levels, shallow acceptors and shallow donors in silicon, vibrational spectroscopy, and hydrogen-induced defects in silicon. In addition to this detailed coverage of hydrogen in silicon, chapters are provided that discuss hydrogen-related phenomena in germanium and the neutralization of defects and dopants in III*b1V semiconductors. Provides the most in-depth coverage of hydrogen in silicon available in a single source**Includes an extensive chapter on the neutralization of defects in III*b1V semiconductors**Combines both experimental and theoretical studies to form a comprehensive reference
برای فرستادن دیدگاه، باید وارد شده باشید.
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.