دانلود کتاب Radio Frequency Transistors: Principles and Practical Applications

ترجمه فارسی توضیحات (ترجمه ماشینی)

ترانزیستورهای فرکانس رادیویی: اصول و کاربردهای عملی

ترانزیستورهای فرکانس رادیویی: اصول و کاربردهای عملی یک کیت ابزار کامل برای طراحی موفق مدار RF است. با ادامه گسترش زمینه های ارتباطات سلولی و ماهواره ای، نیاز به طراحی مدار RF افزایش می یابد. ترانزیستورهای فرکانس رادیویی حاوی انبوهی از اطلاعات طراحی عملی بر اساس سالها تجربه نویسندگانی است که با سازندگان پیشرو قطعات RF کار کرده اند. این کتاب عمدتاً بر روی حوزه دشوارتر طراحی و ساخت تقویت کننده ترانزیستورهای توان بالا تمرکز دارد.
یک فصل کامل که صرفاً به ترانزیستورهای RF با قدرت بالا LDMOS اختصاص دارد به نسخه جدید اضافه شده است. مقایسه ای بین FET های LDMOS، FET های TMOS و ترانزیستورهای دوقطبی ارائه شده است، و به وضوح نشان می دهد که چرا LDMOS انتخاب طراحان برای تقویت کننده های خطی با توان بالا در دنیای دیجیتال ارتباطات امروزی است که به سرعت در حال گسترش است. پوشش همچنین شامل کاربردهای ترانزیستورهای توان بالا LDMOS RF در فن‌آوری‌های سلولی نسل فعلی، طراحی تقویت‌کننده‌های توان بالا LDMOS، و نظراتی در مورد آخرین تلاش‌ها برای مدل‌سازی دستگاه‌های قدرت LDMOS RF می‌شود.
موضوعات دیگری که تحت پوشش قرار می‌گیرند عبارتند از انتخاب منطبق با قدرت بالا. ترانزیستورهای RF، تطبیق امپدانس ورودی ترانزیستورهای توان بالا، تطبیق بین مرحله‌ای و خازن‌ها و سلف‌ها در فرکانس‌های رادیویی.

Radio Frequency Transistors: Principles and Practical Applications

Radio Frequency Transistors: Principles and Practical Applications is a complete tool kit for successful RF circuit design. As cellular and satellite communications fields continue to expand, the need for RF circuit design grows. Radio Frequency Transistors contains a wealth of practical design information based on years of experience from authors who have worked with the leading manufacturers of RF components. The book focuses primarily on the more difficult area of high power transistor amplifier design and construction.
An entire chapter devoted solely to LDMOS high power RF transistors has been added to the new edition. A comparison is given between LDMOS FETs, TMOS FETs and bipolar transistors, showing clearly why LDMOS is the designers choice for high power, linear amplifiers in todays rapidly expanding digital world of communications. Coverage also includes applications of LDMOS RF high power transistors in current generation cellular technologies, the design of LDMOS high power amplifiers, and comments about the latest efforts to model LDMOS RF power devices.
Other topics covered include the selection of matched high power RF transistors, input impedance matching of high power transistors, interstage matching, and capacitors and inductors at radio frequencies.