دانلود کتاب Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

49,000 تومان

اثرات ناشی از کرنش در ماسفت های پیشرفته


نوع کالا کتاب الکترونیکی
ناشر Springer-Verlag Wien
تعداد صفحه 252
حجم فایل 3 مگابایت
کد کتاب 3709103819,9783709103814
نوبت چاپ 1
نویسنده
زبانانگلیسی
فرمتPDF
سال انتشار2011
مطلب پیشنهادی: با پول کتاب در ایران چی میشه خرید؟
در صورت نیاز به تبدیل فایل به فرمت‌های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می‌توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا در صورت امکان، فایل مورد نظر را تبدیل نمایند. سایت بَلیان دارای تخفیف پلکانی است، یعنی با افزودن کتاب بیشتر به سبدخرید، قیمت آن برای شما کاهش می‌یابد. جهت مشاهده درصد تخفیف‌ها بر روی «جدول تخفیف پلکانی» در پایین کلیک نمایید. جهت یافتن سایر کتاب‌های مشابه، از منو جستجو در بالای سایت استفاده نمایید.
شما می‌توانید با هر 1000 تومان خرید، ۱ شانس شرکت در قرعه‌کشی کتابخانه دیجیتال بلیان دریافت کنید و شانس خود را برای برنده شدن جوایز هیجان انگیز امتحان کنید. «شرایط شرکت در قرعه‌کشی»

جدول کد تخفیف

با افزودن چه تعداد کتاب به سبد‌خرید، چند‌ درصد تخفیف شامل آن خواهد شد؟ در این جدول پاسخ این سوال را خواهید یافت. برای مثال: اگر بین ۳ الی ۵ کتاب را در سبد خرید خود قرار دهید، ۲۵ درصد تخفیف شامل سبد‌خرید شما خواهد شد.
تعداد کتاب درصد تخفیف قیمت کتاب
1 بدون تخفیف 25,000 تومان
2 20 درصد 20,000 تومان
3 الی 5 25 درصد 18,750 تومان
6 الی 10 30 درصد 17,500 تومان
11 الی 20 35 درصد 16,250 تومان
21 الی 30 40 درصد 15,000 تومان
31 الی 40 45 درصد 13,750 تومان
41 الی 50 50 درصد 12,500 تومان
51 الی 70 55 درصد 11,250 تومان
71 الی 100 60 درصد 10,000 تومان
101 الی 150 65 درصد 8,750 تومان
151 الی 200 70 درصد 7,500 تومان
201 الی 300 75 درصد 6,250 تومان
301 الی 500 80 درصد 5,000 تومان
501 الی 1000 85 درصد 3,750 تومان
1001 الی 10000 90 درصد 2,500 تومان
توضیحات

ترجمه فارسی توضیحات (ترجمه ماشینی)

اثرات ناشی از کرنش در ماسفت های پیشرفته

از کرنش برای افزایش عملکرد ماسفت ها استفاده می شود. مدل‌سازی اثرات کرنش بر حمل‌ونقل یکی از وظایف مهم ابزارهای شبیه‌سازی مدرن مورد نیاز برای طراحی دستگاه است. این کتاب تمام روش‌های مدل‌سازی مرتبط مورد استفاده برای توصیف کرنش در سیلیکون را پوشش می‌دهد. ساختار زیر باند در فیلم های نیمه هادی تحت تنش در دستگاه ها با استفاده از روش های تحلیلی k.p و شبه پتانسیل عددی بررسی شده است. یک نمای کلی دقیق از مدل‌سازی حمل و نقل در دستگاه‌های فشار داده شده است

Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given

نظرات (0)

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “دانلود کتاب Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs”