دانلود کتاب Advances in Silicon Carbide Processing and Applications
49,000 تومان
پیشرفت در پردازش و کاربردهای کاربید سیلیکون
| موضوع اصلی | ابزار |
|---|---|
| نوع کالا | کتاب الکترونیکی |
| ناشر | Artech House Inc |
| تعداد صفحه | 218 |
| حجم فایل | 6 مگابایت |
| کد کتاب | 1580537405,9781580537407 |
| نویسنده | Anant Agarwal, Stephen E. Saddow |
|---|---|
| زبان | انگلیسی |
| فرمت | |
| سال انتشار | 2008 |
جدول کد تخفیف
| تعداد کتاب | درصد تخفیف | قیمت کتاب |
| 1 | بدون تخفیف | 25,000 تومان |
| 2 | 20 درصد | 20,000 تومان |
| 3 الی 5 | 25 درصد | 18,750 تومان |
| 6 الی 10 | 30 درصد | 17,500 تومان |
| 11 الی 20 | 35 درصد | 16,250 تومان |
| 21 الی 30 | 40 درصد | 15,000 تومان |
| 31 الی 40 | 45 درصد | 13,750 تومان |
| 41 الی 50 | 50 درصد | 12,500 تومان |
| 51 الی 70 | 55 درصد | 11,250 تومان |
| 71 الی 100 | 60 درصد | 10,000 تومان |
| 101 الی 150 | 65 درصد | 8,750 تومان |
| 151 الی 200 | 70 درصد | 7,500 تومان |
| 201 الی 300 | 75 درصد | 6,250 تومان |
| 301 الی 500 | 80 درصد | 5,000 تومان |
| 501 الی 1000 | 85 درصد | 3,750 تومان |
| 1001 الی 10000 | 90 درصد | 2,500 تومان |
ترجمه فارسی توضیحات (ترجمه ماشینی)
پیشرفت در پردازش و کاربردهای کاربید سیلیکون
با این منبع جدید، آخرین پیشرفتها در فناوری SiC (سیلیکون کاربید) را از کارشناسان برجسته در این زمینه بیاموزید. این کتاب تنها منبع شما برای اطلاعات عمیق در مورد ساخت دستگاه SiC و برنامه های کاربردی در سطح سیستم است. این مرجع جامع با بررسی نحوه رشد SiC و چگونگی تأثیر نقص در رشد SiC بر دستگاه های کار شروع می شود.
مسائل کلیدی در دوپینگ انتخابی SiC از طریق کاشت یونی با تمرکز ویژه بر شرایط ایمپلنت و فعال سازی الکتریکی ایمپلنت ها پوشش داده می شود. کاربردهای SiC مورد بحث شامل حسگرهای شیمیایی، اجزای کنترل موتور، حسگرهای گاز با دمای بالا و الکترونیک با دمای بالا میباشد. این کتاب با برش دادن دادههای مخفیانه و اصطلاحات تخصصی پیرامون تبلیغات SiC، ارزیابی صادقانهای از فناوری SiC امروزی ارائه میکند و به شما نشان میدهد که چگونه میتوان SiC را در توسعه برنامههای فردا به کار گرفت.
Learn the latest advances in SiC (Silicon Carbide) technology from the leading experts in the field with this new cutting-edge resource. The book is your single source for in-depth information on both SiC device fabrication and system-level applications. This comprehensive reference begins with an examination of how SiC is grown and how defects in SiC growth can affect working devices.
Key issues in selective doping of SiC via ion implantation are covered with special focus on implant conditions and electrical activation of implants. SiC applications discussed include chemical sensors, motor-control components, high-temperature gas sensors, and high-temperature electronics. By cutting through the arcane data and jargon surrounding the hype on SiC, this book gives an honest assessment of today’s SiC technology and shows you how SiC can be adopted in developing tomorrow’s applications.

نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.