دانلود کتاب Rapid Thermal Processing for Future Semiconductor Devices
49,000 تومان
پردازش حرارتی سریع برای دستگاه های نیمه هادی آینده
| موضوع اصلی | ابزار |
|---|---|
| نوع کالا | کتاب الکترونیکی |
| ناشر | Elsevier Science |
| تعداد صفحه | 160 |
| حجم فایل | 7 مگابایت |
| کد کتاب | 0444513396,9780444513397 |
| نویسنده | H. Fukuda |
|---|---|
| زبان | انگلیسی |
| فرمت | |
| سال انتشار | 2003 |
جدول کد تخفیف
| تعداد کتاب | درصد تخفیف | قیمت کتاب |
| 1 | بدون تخفیف | 25,000 تومان |
| 2 | 20 درصد | 20,000 تومان |
| 3 الی 5 | 25 درصد | 18,750 تومان |
| 6 الی 10 | 30 درصد | 17,500 تومان |
| 11 الی 20 | 35 درصد | 16,250 تومان |
| 21 الی 30 | 40 درصد | 15,000 تومان |
| 31 الی 40 | 45 درصد | 13,750 تومان |
| 41 الی 50 | 50 درصد | 12,500 تومان |
| 51 الی 70 | 55 درصد | 11,250 تومان |
| 71 الی 100 | 60 درصد | 10,000 تومان |
| 101 الی 150 | 65 درصد | 8,750 تومان |
| 151 الی 200 | 70 درصد | 7,500 تومان |
| 201 الی 300 | 75 درصد | 6,250 تومان |
| 301 الی 500 | 80 درصد | 5,000 تومان |
| 501 الی 1000 | 85 درصد | 3,750 تومان |
| 1001 الی 10000 | 90 درصد | 2,500 تومان |
ترجمه فارسی توضیحات (ترجمه ماشینی)
پردازش حرارتی سریع برای دستگاه های نیمه هادی آینده
این جلد مجموعه ای از مقالاتی است که در کنفرانس بین المللی پردازش حرارتی سریع (RTP 2001) در سال 2001 در Ise Shima، Mie، در 14-16 نوامبر 2001 برگزار شد. این سمپوزیوم دومین کنفرانس پس از اولین کنفرانس بین المللی موفق قبلی RTP است. کنفرانسی که در سال 1997 در هوکایدو برگزار شد. RTP 2001 آخرین پیشرفتها در RTP و سایر پردازشهای کوتاهمدت را با هدف نشان دادن مسیر آینده در دستگاههای Silicon ULSI و دستگاههای نیمهرسانای مرکب II-VI، III-V پوشش میدهد. این کتاب را پوشش میدهد. زمینه های زیر: پشته دروازه پیشرفته MOS، فن آوری های یکپارچه سازی، مهندسی کانال های پیشرفته از جمله اتصال کم عمق، SiGe، ساختار ناهمگون، متالیزاسیون جدید، اتصال بین، سیلیسی کردن، مواد کم k، دی الکتریک های نازک از جمله دی الکتریک دروازه و مواد با کیفیت بالا، رسوب لایه نازک شامل SiGe، SOI و SiC، فرآیند و مدل سازی دستگاه، تبلور به کمک لیزر و فن آوری های ساخت دستگاه TFT، مانیتور دما فناوری های بدون حلقه و لغزش
Rapid Thermal Processing for Future Semiconductor Devices
This volume is a collection of papers which were presented at the 2001 International Conference on Rapid Thermal Processing (RTP 2001) held at Ise Shima, Mie, on November 14-16, 2001. This symposium is second conference followed the previous successful first International RTP conference held at Hokkaido in 1997. The RTP 2001 covered the latest developments in RTP and other short-time processing continuously aiming to point out the future direction in the Silicon ULSI devices and II-VI, III-V compound semiconductor devices.This book covers the following areas: advanced MOS gate stack, integration technologies, advancd channel engineering including shallow junction, SiGe, hetero-structure, novel metallization, inter-connect, silicidation, low-k materials, thin dielectrics including gate dielectrics and high-k materials, thin film deposition including SiGe, SOI and SiC, process and device modelling, Laser-assisted crystallization and TFT device fabrication technologies, temperature monitoring and slip-free technologies.
برای فرستادن دیدگاه، باید وارد شده باشید.
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.