دانلود کتاب Semi-Conducting Materials

ترجمه فارسی توضیحات (ترجمه ماشینی)

مواد نیمه رسانا

طی سالهای اخیر فیزیکدانان در هیچ کشوری پیشرفتهای سریع و مهمی در زمینه فیزیک حالت جامد داشته اند. مواد نیمه رسانا، به ویژه، به دلیل کاربردهای عملی متعدد و به دلیل بینش اساسی در فرآیندهای الکترونیکی و یونی حاصل از این مطالعات، به موضوع مورد توجه زیادی تبدیل شده اند. کنفرانس خواندن (10 تا 15 ژوئیه 1950)، که این voJ:.rme مجموعه مقالات آن را تشکیل می دهد، فرصتی را برای پژوهشگران این کشور و خارج از کشور فراهم کرد تا در مورد آخرین پیشرفت ها بحث کنند. بیش از 200 فیزیکدان و مهندس در آن شرکت کردند که در میان آنها استقبال از 80 بازدیدکننده از کشورهای دیگر باعث خوشحالی بود. این کنفرانس با حمایت مالی اتحادیه بین المللی فیزیک محض و کاربردی (با کمک یونسکو) و همکاری این اتحادیه امکان پذیر شد. انجمن سلطنتی. از این سازمان ها برای کمک های دریافتی قدردانی می شود. همچنین از پروفسور H. A. Kramers، مدیر، و پروفسور P. Fleury، دبیر کل اتحادیه بین المللی، برای توصیه های ارزشمند بسیار در طول آماده سازی تشکر می شود و سردبیر مایل است از دکتر J. Friedel و C. A. Hogarth برای کمک های مهربانانه آنها تشکر کند.

Semi-Conducting Materials

During recent years physicists in n1any countries have made rapid and important advances in the field of solid state physics. Semi-conducting materials, in particular, have become a subject of great interest by reason of their numerous practical applications and because of the fundamental insight into electronic and ionic processes resulting from these studies. The Reading Conference (10 to 15 July 1950), of which this voJ:.rme con- stitutes the Proceedings, provided research workers from this country and abroad with an opportunity for discussion of the most recent progress. Over 200 physicists and engineers took part, among whom it was a pleasure to welcome 80 visitors from other countries. The Conference was made possible by the financiaJ support of the International Union of Pure and Applied Physics (assisted by UNESCO) and the cooperation of the. Royal Society. Grateful acknowledgement is made to these organizations for the help received. Thanks are also due to Professor H. A. Kramers, Director, and Professor P. Fleury, Secretary General of the International Union, for much valuable advice during the preparations and the Editor wishes to thank Drs J. Friedel and C. A. Hogarth for their kind assistance.