دانلود کتاب Semiconductor Material and Device Characterization
49,000 تومان
مشخصات مواد و دستگاه نیمه هادی
| موضوع اصلی | الکترونیک: رادیو |
|---|---|
| نوع کالا | کتاب الکترونیکی |
| ناشر | Wiley-IEEE Press |
| تعداد صفحه | 790 |
| حجم فایل | 12 مگابایت |
| کد کتاب | 9780471739067,0471739065 |
| نوبت چاپ | 3 |
| نویسنده | Dieter K. Schroder |
|---|---|
| زبان | انگلیسی |
| فرمت | |
| سال انتشار | 2006 |
جدول کد تخفیف
| تعداد کتاب | درصد تخفیف | قیمت کتاب |
| 1 | بدون تخفیف | 25,000 تومان |
| 2 | 20 درصد | 20,000 تومان |
| 3 الی 5 | 25 درصد | 18,750 تومان |
| 6 الی 10 | 30 درصد | 17,500 تومان |
| 11 الی 20 | 35 درصد | 16,250 تومان |
| 21 الی 30 | 40 درصد | 15,000 تومان |
| 31 الی 40 | 45 درصد | 13,750 تومان |
| 41 الی 50 | 50 درصد | 12,500 تومان |
| 51 الی 70 | 55 درصد | 11,250 تومان |
| 71 الی 100 | 60 درصد | 10,000 تومان |
| 101 الی 150 | 65 درصد | 8,750 تومان |
| 151 الی 200 | 70 درصد | 7,500 تومان |
| 201 الی 300 | 75 درصد | 6,250 تومان |
| 301 الی 500 | 80 درصد | 5,000 تومان |
| 501 الی 1000 | 85 درصد | 3,750 تومان |
| 1001 الی 10000 | 90 درصد | 2,500 تومان |
ترجمه فارسی توضیحات (ترجمه ماشینی)
مشخصات مواد و دستگاه نیمه هادی
این نسخه سوم یک متن برجسته را با جدیدترین یافتهها بهروزرسانی میکند. ویرایش سوم ویژگیهای مواد و دستگاه نیمهرسانا که در سطح بینالمللی مورد تحسین قرار گرفته است، متن را بهطور کامل با آخرین پیشرفتها در این زمینه بهروز میکند و شامل ابزارهای آموزشی جدید برای کمک به خوانندگان میشود. نسخه سوم نه تنها آخرین تکنیک های اندازه گیری را ارائه می کند، بلکه تفاسیر جدید و کاربردهای جدید تکنیک های موجود را نیز بررسی می کند. خصوصیات مواد و دستگاه نیمه هادی تنها متنی است که به تکنیک های مشخصه برای اندازه گیری مواد و دستگاه های نیمه هادی اختصاص دارد. پوشش شامل طیف کاملی از روش های مشخصه الکتریکی و نوری، از جمله تکنیک های شیمیایی و فیزیکی تخصصی تر است. خوانندگانی که با دو نسخه قبلی آشنا هستند، یک نسخه سوم کاملاً اصلاح شده و به روز شده را کشف خواهند کرد، از جمله: * ارقام و نمونه های به روز شده و اصلاح شده که منعکس کننده جدیدترین داده ها و اطلاعات هستند * 260 مرجع جدید که دسترسی به آخرین تحقیقات و بحث ها در موضوعات تخصصی را ارائه می دهند * جدید مشکلات و بررسی سوالات در پایان هر فصل برای آزمایش درک خوانندگان از مطالب به علاوه، خوانندگان بخش های کاملاً به روز و اصلاح شده را در هر فصل پیدا خواهند کرد. به علاوه، دو فصل جدید اضافه شده است: * ویژگی های مبتنی بر شارژ و کاوشگر را معرفی می کند. اندازه گیری مبتنی بر بار و پروب های کلوین. این فصل همچنین اندازهگیریهای مبتنی بر کاوشگر را بررسی میکند، از جمله ظرفیت روبشی، نیروی کلوین روبشی، مقاومت گسترش روبشی و میکروسکوپ انتشار الکترونی بالستیک. * تجزیه و تحلیل قابلیت اطمینان و شکست، زمانهای خرابی و توابع توزیع را بررسی میکند و مهاجرت الکتریکی، حاملهای داغ، یکپارچگی اکسید دروازه، ناپایداری دمای بایاس منفی، جریان نشتی ناشی از استرس و تخلیه الکترواستاتیک را مورد بحث قرار میدهد. نوشته شده توسط یک مرجع شناخته شده بین المللی در این زمینه، ویژگی های مواد و دستگاه نیمه هادی برای دانشجویان فارغ التحصیل و همچنین برای متخصصانی که در زمینه دستگاه ها و مواد نیمه هادی کار می کنند، خواندنی ضروری باقی می ماند. راهنمای مربی که راه حل های دقیقی را برای تمام مشکلات موجود در کتاب ارائه می کند. در دسترس از دپارتمان تحریریه Wiley.Booknews به تکنیکهای مشخصهای که توسط صنعت نیمهرساناهای مدرن برای اندازهگیری مواد و دستگاههای نیمهرسانای مختلف استفاده میشود، اختصاص دارد. پوشش شامل طیف کاملی از روش های مشخصه الکتریکی و نوری است. تکنیک های شیمیایی و فیزیکی تخصصی تر؛ و نوآوری هایی مانند تکنیک های کاوشگر اسکن، تشخیص ناخالصی های فلزی در ویفرهای سیلیکونی، و استفاده از بازتاب مایکروویو برای اندازه گیری مقاومت بدون تماس. فصل جدیدی به قابلیت اطمینان و میکروسکوپ کاوشگر می پردازد.
Semiconductor Material and Device Characterization
This Third Edition updates a landmark text with the latest findingsThe Third Edition of the internationally lauded Semiconductor Material and Device Characterization brings the text fully up-to-date with the latest developments in the field and includes new pedagogical tools to assist readers. Not only does the Third Edition set forth all the latest measurement techniques, but it also examines new interpretations and new applications of existing techniques.Semiconductor Material and Device Characterization remains the sole text dedicated to characterization techniques for measuring semiconductor materials and devices. Coverage includes the full range of electrical and optical characterization methods, including the more specialized chemical and physical techniques. Readers familiar with the previous two editions will discover a thoroughly revised and updated Third Edition, including: * Updated and revised figures and examples reflecting the most current data and information * 260 new references offering access to the latest research and discussions in specialized topics * New problems and review questions at the end of each chapter to test readers’ understanding of the material In addition, readers will find fully updated and revised sections in each chapter.Plus, two new chapters have been added: * Charge-Based and Probe Characterization introduces charge-based measurement and Kelvin probes. This chapter also examines probe-based measurements, including scanning capacitance, scanning Kelvin force, scanning spreading resistance, and ballistic electron emission microscopy. * Reliability and Failure Analysis examines failure times and distribution functions, and discusses electromigration, hot carriers, gate oxide integrity, negative bias temperature instability, stress-induced leakage current, and electrostatic discharge. Written by an internationally recognized authority in the field, Semiconductor Material and Device Characterization remains essential reading for graduate students as well as for professionals working in the field of semiconductor devices and materials.An Instructor’s Manual presenting detailed solutions to all the problems in the book is available from the Wiley editorial department.BooknewsDevoted to the characterization techniques used by the modern semiconductor industry to measure diverse semiconductor materials and devices. Coverage includes the full range of electrical and optical characterization methods; more specialized chemical and physical techniques; and innovations such as scanning probe techniques, the detection of metallic impurities in silicon wafers, and the use of microwave reflection to measure contactless resistivity. A new chapter addresses reliability and probe microscopy.

نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.